美国推动投资建厂，SK海力士希望换取设备出口许可
在今年初，美国市场对存储器的需求因人工智能（AI）技术的迅猛发展而急剧增加，三星和SK海力士纷纷加大投资力度，扩展在国内外的生产设施，尤其是在中国大陆地区。SK海力士已宣布计划在2026年下半年重启大连第二工厂的扩建项目，届时该工厂将能够生产高达238层的NAND闪存，月产能力目标为3万至5万片晶圆。此外，SK海力士还对位于无锡的DRAM工厂进行投资，计划将生产工艺从1znm（第三代10nm工艺）升级至1αnm（第四代10nm工艺）。
根据TrendForce的报告，由于美国的出口限制和存储市场的长期低迷，SK海力士早前曾暂停扩建计划。但现在，随着工程的恢复，该公司仍面临安装新设备的挑战，尤其是美国供应商提供的设备方面。虽然美国政府已批准SK海力士于2026年的申请，但对于2027年的相关申请仍未作出决定。
与此同时，有消息透露，美国政府正在催促SK海力士加快在美国的投资和建厂计划。据悉，SK海力士意图以获得美国供应商设备向中国大陆地区出口的批准作为进一步投资美国的条件。此外，SK海力士的全资子公司Solidigm也在考虑最快于明年在美国进行首次公开募股（IPO），以筹集未来在美建厂所需的资金。如果能够扩张大连工厂的产能，将有助于提升Solidigm的估值，并在新工厂投产前确保产能稳定，从而满足市场需求。
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